碳化硅磨料
碳化硅磨料的化学成分是反映其内在质量和性能的主要指标之一。一般地说，碳化硅含量愈高，纯度愈高，则碳化硅磨料的物理性能愈好。
碳化硅磨料的主要成分是碳化硅（SiC）。一级品SiC结晶块中通常含95%~98%的SiC，其余为各种杂质。
游离硅（F·Si）：它一部分溶解在碳化硅晶体中，一部分与其它金属杂质（铁，铝，钙等）呈合金状态存在。
游离二氧化硅（F·SiO2）：通常存在于晶体表面，大都是由于冶炼碳化硅电阻炉冷却过程中碳化硅氧化而形成。正常情况下，绿碳化硅结晶块表面的游离硅，二氧化硅的含量为0.6%左右。当配料中二氧化硅过量中，二氧化硅会蒸发凝聚在碳化硅晶体表面上，呈白色绒毛状。
碳（C）：一部分包裹在碳化硅晶体中，一部分和金属杂质形成碳化物。当配比中碳过量时，可看到明显的游离状态的炭料。
铁，铝，钙，镁：由于炉内的高温及还原性气氛，结晶块中的这些杂质大都呈合金状态或碳化物状态。
碳化硅磨料的化学成分随磨料粒度的变化略有波动。粒度愈细，纯度愈低。
我国磨料工业上，规定碳化硅成分的标准分析方法是酸萃法，即采用混合酸液（HNO3，H2SO4，HF）对试样加热处理，使颗粒表面的杂质溶解，残渣经灼烧后视为碳化硅含量，此法又称为表面分析法。另一种分析法是碱熔法，即把试样与碳酸钠共熔，待试样全熔后分析之，这种分析方法又称为全熔法。显然，同一试样用前一种方法测出的碳化硅含量稍高于后一种测法。
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